K4B2G1646Q-BYK0 内部 8 个独立存储区块,分时切换分页读写;CL/CWL 读写延时可编程配置,灵活匹配不同主控时序,提升总线利用率

发布企业:深圳飞弛宏科技有限公司时间:2026-6-4 11:26:00

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K4B2G1646Q-BYK0 为三星 DDR3L 低电压 SDRAM、2Gb (128M×16bit、单颗 256MB)存储颗粒,96-FBGA 封装、16bit 位宽、双电压 1.35V/1.5V 兼容
K4B2G1646Q-BYK0

一、产品摘要

K4B2G1646Q-BYK0 为三星 DDR3L 低电压 SDRAM、2Gb (128M×16bit、单颗 256MB)存储颗粒,96-FBGA 封装、16bit 位宽、双电压 1.35V/1.5V 兼容,BYK0 速率规格 DDR3-1600(IO 速率 1600Mbps),内置 8Bank 架构、ODT 片内端接、自刷新等 DDR3 标准功能;低功耗 + 宽兼容性,主打嵌入式主控缓存、工控板、安防 IPC、机顶盒、老式整机内存扩容,是工业与消费设备通用高速外挂运行内存。

二、核心功能

高速数据存取

双倍速率 DDR3 架构,双边沿同步读写,单引脚最高 1600Mbps,16 位并行总线,短时突发高速缓存处理器临时运行数据、图像缓存、系统程序。

双电压低功耗(DDR3L)

原生支持1.35V 低压,也兼容标准 1.5V,相比常规 DDR3 待机功耗更低,适配电池供电、长时间连续运行设备,降低整机散热压力。

8Bank 分页架构 + 可编程时序

内部 8 个独立存储区块,分时切换分页读写;CL/CWL 读写延时可编程配置,灵活匹配不同主控时序,提升总线利用率。

内置 ODT 片内阻抗端接

自带片上终端电阻,省去 PCB 外接匹配电阻,简化布线、抑制信号反射,改善高频走线稳定性。

自动刷新 + 自刷新省电

支持自动周期刷新与低功耗自刷新模式,掉电待机时维持数据,休眠工况大幅降低耗电,适配工控长时间待机场景。

JEDEC 标准同步接口

标准 DDR3 引脚定义,兼容全系列 ARM/FPGA/ 主控 DDR3 控制器,替换通用性强。

三、典型应用

嵌入式工控:工业控制主板、PLC、采集模块、数据记录仪外挂运行内存;

安防数码:网络摄像头 NVR、DVR 录像机图像缓存;

消费电子:高清机顶盒、车载中控、路由器主控缓存;

PC 维修扩容:老式 DDR3 笔记本 / 台式机内存颗粒替换维修;

FPGA 开发板:图像处理、算法缓存外挂 DRAM。

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2026-7-22 23:00:00
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