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K4B4G0446B-MCF7

DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

Key Features • JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply • VDDQ = 1.5V ± 0.075V • 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin • 8 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency(posted CAS): 6, 7, 8, 9, 10 • Programmable Additive Latency: 0,

Samsung

三星

K4B4G0446B-MCF7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4B4G0446B-MCF7

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

更新时间:2025-8-9 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
24+
NA/
18250
原装现货,当天可交货,原型号开票
SAMSUNG
2016+
FBGA
2000
只做原装,假一罚十,公司优势内存型号!
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SAMSUNG/三星
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明嘉莱只做原装正品现货
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SAMSUNG
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SAMSUNG/三星
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BGA
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原装正品现货
SAMSUNG
1844+
FBGA
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
SAMSUNG/三星
23+
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13000
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