
IRL1404ZPBF 是英飞凌 / IR 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用逻辑电平驱动,适合低压大电流开关应用,为工业级标准器件。
核心参数
通道类型:N-Channel
漏源电压 Vds:40 V
栅源阈值 Vgs (th):典型 1.2 V(逻辑电平驱动)
导通电阻 Rds (on):8.0 mΩ @ Vgs=4.5 V
连续漏极电流 Id:160 A
脉冲电流 Idm:320 A
最大功耗 Pd:150 W
工作结温:-55°C ~ 175°C
封装:TO-220(直插)
环保:PbF 无铅、RoHS 合规
主要特点
低导通电阻,大电流能力强
逻辑电平驱动,可直接由 MCU/TTL 控制
开关速度快,适合高频开关、降压电路
雪崩能量高,可靠性强
典型应用
DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、电池保护、开关电源、电动工具、大功率负载开关等。