GaN 场效应晶体管 BSP135L6433HTMA1 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k现货供应咨询

制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管

发货限制：

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RoHS:

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 120 mA

Rds On-漏源导通电阻: 45 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

通道模式: Depletion

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 182 ns

封装: Reel

封装: Cut Tape

产品类型: GaN FETs

上升时间: 5.6 ns

系列: BSP135

4000

子类别: Transistors

技术: GaN

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 5.4 ns

零件号别名: BSP135L6433HTMA1

单位重量: 112 mg