晶体管MOSFET BSP149 E6906 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k现货供应咨询

分立半导体产品晶体管

FET，MOSFET单 FET，MOSFET

制造商Infineon Technologies

系列SIPMOS®

包装卷带（TR）

零件状态Digi-Key 停止提供

FET 类型N 沟道，耗尽型

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）200 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)660mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.8 欧姆 @ 660mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 400µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14 nC @ 5 VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）430 pF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散（最大值）1.8W（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

等级汽车级

资质AEC-Q101

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-SOT223-4

封装/外壳TO-261-4，TO-261AA