GaN 场效应晶体管 BSP135L6327HTSA1 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k现货供应咨询了解

发布企业:深圳市天卓伟业电子有限公司时间:2025-3-12 15:14:00

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BSP135L6327HTSA1 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k现货供应 咨询了解
BSP135L6327HTSA1

制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管

发货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 120 mA

Rds On-漏源导通电阻: 45 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

通道模式: Depletion

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 5.6 ns

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

产品: MOSFET Small Signals

产品类型: GaN FETs

上升时间: 5.6 ns

系列: BSP135

1000

子类别: Transistors

技术: GaN

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 5.4 ns

零件号别名: SP000089206 BSP135L6327HTSA1

单位重量: 112 mg

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2025-8-15 14:07:00
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