时间：2023-4-7 16:19:00
技术参数
针脚数3
漏源极电阻1.6 Ω
耗散功率0.3 W
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)60 V
输入电容(Ciss)50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)350 mW
封装参数
安装方式Surface Mount
引脚数3
封装SOT-323-3
外形尺寸
长度2.92 mm
宽度1.3 mm
高度1.2 mm
封装SOT-323-3
物理参数
工作温度-55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
制造应用工业, 电源管理
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
含铅标准Lead Free
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex Zetex Semiconductors |   | ||
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | SUTEX Supertex, Inc | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆半导体公司 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor | Calogic Calogic, LLC | | ||
DMOS Transistors (N-Channel) | GE General Semiconductor | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP | 25+ | 7589 | 全新原装现货,支持排单订货,可含税开票 | ||||
ON(安森美) | 24+ | 标准封装 | 11304 | 全新原装正品/价格优惠/质量保障 | |||
恩XP | 24+/25+ | 1000 | 100%原装正品真实库存,支持实单 | ||||
DIODES(美台) | 25+ | SOT-23-3 | 25208 | DIODES(美台)爆款特价现货2N7002K-7即刻询购立享优惠#长期有订 | |||
SILICONIX | 2009 | SOT23-3 | 178 | 全新原装 正品现货 | |||
Nexperia/安世 | 24+25+ | 500000 | 优势渠道 常备库存 保证原装 | ||||
ON | 23+ | N/A | 10000 | 正规渠道,只有原装! | |||
25+ | 6000 | 公司现货库存 | |||||
MICROCHIP/微芯 | 24+ | NA | 9000 | 原装正品优势现货,假一赔十 | |||
VISHAY超低超低 | 22+ | SOT-23 | 90000 | 全新原装现货 |
