BSC067N06LS3G

时间:2023-8-21 11:26:00

BSC067N06LS3G

BSC067N06LS3G是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,以下是其主要产品说明:

1. 高性能:BSC067N06LS3G采用先进的MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够提供高效的功率转换和控制能力。

2. 低导通电阻:该MOSFET具有低导通电阻,可以降低功率损耗和温升,提高功率转换效率,适用于高功率应用。

3. 高电压能力:BSC067N06LS3G具有高达60V的额定电压,可以承受较高的电压和电流,适用于高压应用场景。

4. 保护功能:该MOSFET具有多种保护功能,包括过温保护、过电流保护、短路保护等,可以保护电路和设备免受异常情况的影响。

5. 封装和尺寸:BSC067N06LS3G采用小型封装,适合在有限的空间内进行集成和安装,方便应用于各种电源和功率控制电路中。

6. 应用领域:该MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电源适配器、照明控制等领域。它可以用于工业设备、汽车电子、消费电子等各种应用场景。

通道数1

针脚数8

漏源极电阻0.0054 Ω

极性N-Channel

耗散功率69 W

阈值电压1.7 V

漏源极电压(Vds)60 V

上升时间26 ns

输入电容(Ciss)3800pF @30V(Vds)

额定功率(Max)69 W

下降时间7 ns

工作温度(Max)150 ℃

工作温度(Min)-55 ℃

耗散功率(Max)69 W

封装参数

安装方式Surface Mount

引脚数8

封装TDSON-8

外形尺寸

长度6.1 mm

宽度5.15 mm

高度1.1 mm

封装TDSON-8

物理参数

工作温度-55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期Active

包装方式Tape & Reel (TR)

制造应用Alternative Energy, Power Management, Or-ing switches, Synchronous rectification, Industrial, Isolated DC-DC converters, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准RoHS Compliant

含铅标准Lead Free

REACH SVHC标准No SVHC

REACH SVHC版本2015/12/17

海关信息

ECCN代码EAR99

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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英飞凌英飞凌科技股份公司

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InfineonInfineon Technologies AG

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InfineonInfineon Technologies AG

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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InfineonInfineon Technologies AG

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2025-10-1 16:10:00
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