2N7002VC-7是一款N沟道增强型MOSFET，以下是其主要产品说明：
1. 高性能：2N7002VC-7采用先进的MOSFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够提供高效的功率转换和控制能力。
2. 低导通电阻：该MOSFET具有低导通电阻，可以降低功率损耗和温升，提高功率转换效率，适用于低压和低功率应用。
3. 高电压能力：2N7002VC-7具有高达60V的额定电压，可以承受较高的电压和电流，适用于一般的低压应用场景。
4. 保护功能：该MOSFET具有多种保护功能，包括过温保护、过电流保护、短路保护等，可以保护电路和设备免受异常情况的影响。
5. 封装和尺寸：2N7002VC-7采用小型封装，适合在有限的空间内进行集成和安装，方便应用于各种电源和功率控制电路中。
6. 应用领域：该MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电源适配器、照明控制等领域。它可以用于消费电子、通信设备、工业自动化等各种应用场景。
技术参数
通道数2
极性N-CH
耗散功率150 mW
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)0.28A
输入电容(Ciss)50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
封装参数
安装方式Surface Mount
引脚数6
封装SOT-563-6
外形尺寸
长度1.6 mm
宽度1.2 mm
高度0.6 mm
封装SOT-563-6
物理参数
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
含铅标准Lead Free
REACH SVHC标准No SVHC
海关信息
ECCN代码EAR99
