IRF3205L价格

参考价格:¥7.5676

型号:IRF3205LPBF 品牌:International 备注:这里有IRF3205L多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF3205L批发/采购报价,IRF3205L行情走势销售排行榜,IRF3205L报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF3205L

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??

VDSS= 55V RDS(on)= 8.0mΩ ID= 110A… Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design

IRF

IRF3205L

HEXFET Power MOSFET

文件:609.74 Kbytes Page:10 Pages

IRF

IRF3205L

Advanced Process Technology

文件:618.88 Kbytes Page:11 Pages

IRF

IRF3205L

Advanced Process Technology

文件:1.17944 Mbytes Page:10 Pages

KERSEMI

IRF3205L

55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装

Infineon

英飞凌

FHP3205 is a low-voltage high-current power MOS field effect transistor,widely used in power inverters

Features 110A, 55V, RDS(on) = 8.0mΩ fast switching speed

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

FL MC 2000E (SM40) LC

文件:384.74 Kbytes Page:8 Pages

PhoenixPHOENIX CONTACT

菲尼克斯德国菲尼克斯电气集团

HF-band Fan-Out

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DOW-KEY

Heyco® Original Series-35 Liquid Tight Cordgrips

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Heyco

WASHERS

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

IRF3205L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3205L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-9-24 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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原装
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