FDC655BN MOSFET

发布企业:深圳市航润创能电子集团有限公司时间:2021-9-17 11:09:00

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FDC655BN

规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 6.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 13 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.6 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 4 ns

正向跨导 - 最小值: 20 S

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

系列: FDC655BN

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 22 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

宽度: 1.6 mm

零件号别名: FDC655BN_NL

单位重量: 36 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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2024-5-15 22:50:00
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