FDMS3660S MOSFET

发布企业:深圳市航润创能电子集团有限公司时间:2021-9-17 11:21:00

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FDMS3660S

规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-56-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 13 A, 30 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms, 1.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V

Qg-栅极电荷: 29 nC, 87 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.2 W, 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: Power Stage PowerTrench

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

高度: 1.1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

系列: FDMS3660S

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5 mm

单位重量: 171 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PowerTrench? Power Stage

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PowerTrench? Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

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Low Thermal EMF Reed Relays

RHOPOINT

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TUBEAXIAL

EBMPAPSTebm-papst

依必安派特依必安派特公司

Pushbutton valve

FESTOFesto Corporation.

费斯托

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