SN65HVD12DR_DLP11SN201HL2L导读
易于使用的工具和软件可以简化客户的评估流程，降低系统总体设计复杂性和成本，并轻松获得高性能处理能力。Sitara? AM2x MCU产品系列基于高性能Arm? MCU内核，包含运行速度高达1 GHz的单核和多核器件，并集成了专用外设和加速器。。
近些年，TI一直在稳步提升其300mm晶圆模拟芯片的产量，以削减成本并提高生产效率。TI表示，300mm晶圆厂的产量比竞争对手使用的200mm工艺生产的芯片便宜40％。此外，对于模拟用途，300mm晶圆厂的投资回报率可能更高，因为它可以使用20到30年。
SN65HVD12DR_DLP11SN201HL2L
TPS65987DDHRSHR 贴片二极管
SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。
TPS65131TRGERQ1 TPS73701DCQR TPS2421-2DDAR TPS61022RWUR TPS61041DBVR 。
TI负责连接微控制器的副总裁Ray Upton解释说，新技术对于“以稳定的方式移动大量数据”至关重要，从而改善了高性能通信。 。
TPS74801DRCR TPS22918DBVR TLV62569ADRLR TLV62569ADRLT TPS61230ARNST 。
SN65HVD12DR_DLP11SN201HL2L
OPA2330AIDGKR
TPS63060DSCR TPS63030DSKR TPS63060DSCT TPS63070RNMR TPS630701RNMR 。
而震荡结构的另一面，压电材料的声波阻抗和其他衬底(比如Si)的差别不大，所以不能把压电层直接deposit(沉积)在Si衬底上。声波在固体里传播速度为~5000m/s，也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍，所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来，跟原来的波(incident wave)一起形成驻波。。为了把声波留在压电薄膜里震荡，震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到小loss和大Q值。
TPS65400RGZR TPS65400RGZT TPS92515QDGQRQ1 TPS92515QDGQTQ1 TPS560430XFDBVT 。
DRV8876NPWPR DRV8872DDARQ1 DRV5013ADQDBZT DRV5013ADQDBZR TPD4E001DRLR 。
SN65HVD12DR_DLP11SN201HL2L
这里只简单介绍ladder type和lattice type。BAW filter可以把多个resonator按一定拓扑结构连接。BAW filter有多种类型，包括ladder type filter，lattice type filter，stacked crystal filter和coupled resonator filter。
石英(quartz)作为常见的压电材料，在高电压和高压力的情况下表现出线性反应，但还没有合适的方法把石英做成薄膜deposit在Si衬底上。合适的BAW压电材料需要high electromechanical coupling coefficient，low electromechanical loss，high thermal stability，还要符合IC工艺技术。
