零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS??
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3670pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 58W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
深圳市顺德利科技有限公司 0755-82725660 17727837185（微信75056055） QQ：782954141
