IPA50R190CE顺德利科技正品原装进口稳定的货源优势的价格

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类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 CoolMOS??

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 6.2A，13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 510μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 47.2nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1137pF @ 100V

FET 功能超级结

功率耗散（最大值） 32W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 PG-TO220-FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

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IPA50R190CE	500V CoolMOS? CE Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA50R190CE	500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPA50R190CE	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA50R190CE_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IIPP50R190CE	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2025-12-29 16:00:00