类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS??
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 6.2A，13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 510μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 47.2nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1137pF @ 100V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 32W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
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