制造商 Infineon Technologies
数据列表 IPD65R400CE
IPS65R400CE
标准包装 2500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 CoolMOS?
其它名称 IPD65R400CEAUMA1
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15.1A (Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 400毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 320μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 710pF @ 100V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 118W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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