FDP085N10A只做原装正品现货

时间:2020-10-6 14:05:00

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制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 96 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.35 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

高度: 16.3 mm

长度: 10.67 mm

系列: FDP085N10A

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.7 mm

正向跨导 - 最小值: 72 S

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 22 ns

包装数量: 800

子类别: MOSFETs

零件别名: FDP085N10A_F102

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2025-8-17 16:50:00
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