制造商 ON Semiconductor
数据列表 2N7002L， 2V7002L
标准包装 3000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
其它名称 2N7002LT1GOSTR
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 115mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 225mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
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