数据列表 FDC640P;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 PowerTrench?
其它名称 FDC640P-ND
FDC640PTR
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 53 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 890pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT?-6
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
