代理ADG636YRUZ进口原装现货

时间：2020-10-26 9:44:00

品牌：ADI 生产批号:2020+ 封装:TSSOP-14

数据列表 ADG636;_

标准包装 1，000

包装标准卷带

零件状态有源

类别集成电路（IC）

产品族接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器

系列 -

其它名称 ADG636YRUZ-REEL7-ND

ADG636YRUZ-REEL7TR

规格

开关电路 SPDT

多路复用器/解复用器电路 2：1

电路数 2

导通电阻（最大值） 115 欧姆

通道至通道匹配 (ΔRon) 2 欧姆

电压 - 电源，单 (V+) 2.7V ~ 5.5V

电压 - 供电，双 (V±) ±2.7V ~ 5.5V

开关时间 (Ton， Toff)（最大值） 135ns，80ns

-3db 带宽 610MHz

电荷注入 -1.2pC

沟道电容 (CS(off)，CD(off)) 5pF，8pF

电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值） 100pA

串扰 -65dB @ 10MHz

工作温度 -40°C ~ 125°C（TA）

安装类型表面贴装型

封装/外壳 14-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装 14-TSSOP

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
ADG636	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636_15	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRU	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRU	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRU-REEL	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRUZ1	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRUZ-REEL1	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRUZ-REEL71	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
SG-636PTF	爱普生MHZ晶体振荡器SG-636PTF选型规格书	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 扬兴深圳扬兴科技有限公司

现货更多...

2025-8-2 12:00:00