数据列表 FCP190N65F
标准包装 800
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 FRFET?,SuperFET? II
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压 (Vdss) 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3225pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 208W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
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