型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTP60N06L

PowerMOSFET60Amps,60Volts,LogicLevelN?묬hannelTO??20andD2PAK

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

PowerMOSFET60Amps,60Volts,LogicLevelN?묬hannelTO??20andD2PAK

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

60Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC60N06isN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorswithstableoff-statecharacteristics,fastswitchingspeed,lowthermalresistance,usuallyusedattelecomandcomputerapplication. FEATURES *RDS(ON)≤18mΩ@VGS=10V,ID=30A *Ultralowgatecharge(ty

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

60A,60VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:316.43 Kbytes Page:8 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:284.8 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:983.43 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NTP60N06L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTP60N06L

  • 功能描述

    MOSFET 60V 60A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-23 12:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
isc
2024
TO-220
7000
国产品牌isc,可替代原装
JINGDAO/晶导微
23+
SOD-123FL
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ON
20+
TO-2203LEADSTANDA
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ON
23+
TOTO-220AB
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
23+
N/A
64910
正品授权货源可靠
ON
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
ON
2020+
TO220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ON
1735+
TO220
6528
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十!
ON/安森美
TO-2203LEADSTANDA
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
ON/安森美
22+
TO220AB
95305
终端免费提供样品 可开13%增值税发票

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