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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTP125N02R | Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK 文件：68.84 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTP125N02R | Power MOSFET 125 A, 24 V N?묬hannel TO??20, D2PAK 文件：90.27 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 125 A, 24 V N?묬hannel TO??20, D2PAK 文件：90.27 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02747 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=120.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 24V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK 文件：68.84 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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Power MOSFET 125 A, 24 V N?묬hannel TO??20, D2PAK 文件：90.27 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTP125N02R产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTP125N02R
- 功能描述
MOSFET 24V 125A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
200 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ONS |
23+ |
NTP125N02RG |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
ON |
23+ |
TO220 |
13 |
正规渠道,只有原装! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON |
24+ |
TO-2203LEADSTANDA |
8866 |
||||
ON |
1725+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-2203LEADSTANDA |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ON |
24+/25+ |
3024 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
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