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NTMYS1D3N04C | MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.15 m, 252 A 文件：347.14 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMYS1D3N04C | 功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15mΩ，252 A | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.15 m, 252 A 文件：347.14 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.3 m, 195 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Small Footprint (5 x 6 mm) with Compact Design • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drive • Battery Protection • ORing | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 40 V, 1.3 m, 235 A, Single N?묬hannel 文件：346.1 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 40 V, 1.3 m, 235 A, Single N?묬hannel 文件：346.1 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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