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NTMYS1D2N04CLTWG | MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 m, 258 A 文件：343.77 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 m, 258 A 文件：343.77 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 1.2 m, 237 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK8 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel 文件：356.69 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel 文件：356.69 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
DFN-5(5 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
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onsemi |
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