型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTMS4800NR2G

Power MOSFET 30 V, 8 A, N?묬hannel, SOIC??

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ONSEMI

安森美半导体

NTMS4800NR2G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.004 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMS4800NR2G

Power MOSFET 30 V, 8 A, N−Channel, SOIC−8

ONSEMI

安森美半导体

NTMS4800NR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS4800NR2G

  • 功能描述

    MOSFET 30V 8A 0.020OHM N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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