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NTMFS6D1N08H

功率 MOSFET,80V,N 沟道,89A,5.5mΩ,SO8-FL

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 80 V, 5.5 m, 89 A, Single N?묬hannel

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFSW6D1N08H − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Hal

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
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DFN5X6
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SO-8FL
8850
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ON/安森美
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275000
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