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NTMFS5C612NT1G

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 60 V, 1.6 m, 230 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-22 17:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
18+
SO8FL
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ON
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DFN-5
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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