NTMD6P02R价格

参考价格:¥2.0811

型号:NTMD6P02R2G 品牌:ONSemi 备注:这里有NTMD6P02R多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NTMD6P02R批发/采购报价,NTMD6P02R行情走势销售排行榜,NTMD6P02R报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual

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ONSEMI

安森美半导体

MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V

Features • Low RDS(on) • Logic Level Gate Drive • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery • Avalanche Energy Specified • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable* • These Devices are Pb−Free

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V

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ONSEMI

安森美半导体

P-Channel Enhancement MOSFET

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KEXIN

科信电子

Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

NTMD6P02R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMD6P02R

  • 功能描述

    MOSFET 20V 6A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
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