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NTMD6N03R2G价格
参考价格：￥1.6266
型号：NTMD6N03R2G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTMD6N03R2G多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTMD6N03R2G批发/采购报价，NTMD6N03R2G行情走势销售排行榜，NTMD6N03R2G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTMD6N03R2G | Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMD6N03R2G | Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMD6N03R2G | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02503 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 文件：74.75 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTMD6N03R2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMD6N03R2G
- 功能描述
MOSFET NFET 30V SPCL TR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
SOP8 |
3000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON |
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SMD |
1400 |
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NA |
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ON |
NEW |
SMD |
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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ON |
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SO-8 |
2500 |
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ON |
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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ON/安森美 |
2450+ |
SOP-8 |
9485 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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ON |
22+ |
SOP-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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瀚佳科技 专业一站式全套配单服务 联系电话0755-23140719/15323480719（微信同号）
2019-1-7
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