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NTMD6N03R2G价格
参考价格：￥1.6266
型号：NTMD6N03R2G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTMD6N03R2G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTMD6N03R2G批发/采购报价，NTMD6N03R2G行情走势销售排行榜，NTMD6N03R2G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTMD6N03R2G | Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMD6N03R2G | Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMD6N03R2G | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02503 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 文件：74.75 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTMD6N03R2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMD6N03R2G
- 功能描述
MOSFET NFET 30V SPCL TR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
SOP8 |
3000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
ON |
23+ |
SOP-8 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
ON |
24+ |
SOP-8 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOP-8 |
37804 |
ONSEMI/安森美全新特价NTMD6N03R2G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON |
24+/25+ |
4000 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ON |
06+ |
SO-8 |
2500 |
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ON |
6000 |
面议 |
19 |
SMD |
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ON |
25+ |
SOP-8 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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ONSEMI/安森美 |
2450+ |
SOP-8 |
9485 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
NTMD6N03R2G规格书下载地址
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2019-1-7
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