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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTMD6601NR2G | Power MOSFET 80 V, 2.2 A, Dual N-Channel, SO-8 文件：100.66 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   |
NTMD6601NR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMD6601NR2G
- 功能描述
MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-9-29 12:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOIC-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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ONSEMI/安森美 |
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ONSEMI/安森美 |
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ON Semiconductor |
23+ |
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SOIC-8 |
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ON |
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ON/安森美 |
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MOT |
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NTMD6601NR2G规格书下载地址
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瀚佳科技 专业一站式全套配单服务 联系电话0755-23140719/15323480719（微信同号）
2019-1-7
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