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NTHD4102PT1G价格
参考价格：￥0.7807
型号：NTHD4102PT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTHD4102PT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTHD4102PT1G批发/采购报价，NTHD4102PT1G行情走势销售排行榜，NTHD4102PT1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTHD4102PT1G | Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET 文件：64.91 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTHD4102PT1G | Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET 文件：69.56 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTHD4102PT1G | Power MOSFET 文件：105.82 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 文件：105.82 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET 文件：64.91 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET 文件：69.56 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTHD4102PT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTHD4102PT1G
- 功能描述
MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-5 12:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
24+ |
4049 |
全新原装正品现货可开票 |
||||
ON(安森美) |
2511 |
SMD-8 |
9550 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON |
22+ |
SOT23-8 |
30000 |
只做原装正品 |
|||
ON |
24+ |
1206A-8 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
|||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SMD-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SSOP-8L |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
ON |
24+ |
CHIPFET |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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NTHD4102PT1G规格书下载地址
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