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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L160N120SC1_V02 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 160 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typ | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-23 14:15:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
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THAILAND |
22+ |
SOP-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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24+ |
3000 |
公司存货 |
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onsemi(安森美) |
2025+ |
TO-247-4 |
55740 |
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THAILAND |
24+ |
SOP-8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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THAILAND |
23+ |
SOP-8 |
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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PULSE |
SMD |
6688 |
15 |
现货库存 |
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PULSE |
2016+ |
SMD |
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只做原装正品现货!或订货!假一赔十! |
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