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NTH4L160N120SC1_V02中文资料

厂家型号

NTH4L160N120SC1_V02

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L160N120SC1_V02数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 160 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-8 11:14:00
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