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NTH4L045N065SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 162 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-20 14:07:00
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