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NTH4L045N065SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,33mohm,650V,M2,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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NTH4L060N065SC1
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原装正品实单可谈 库存现货
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23+
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原厂正品现货SiC MOSFET全系列
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