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NTH4L045N065SC1_V01中文资料

厂家型号

NTH4L045N065SC1_V01

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L045N065SC1_V01数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 162 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Powere Supplies)

• Energy Storages

更新时间:2025-10-11 9:26:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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450
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