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NTH4L040N120SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 40 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typica

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-18 9:07:00
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