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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L020N120SC1_V02 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typi | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-18 10:39:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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