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NTH4L020N120SC1_V02

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-9-24 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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