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NTH4L015N065SC1_V02

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,12mohm,650V,M2,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-22 23:00:00
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