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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTE6045 | IndustrialSiliconRectifier,60A Features: •LowLeakageCurrent •GoodSurgeCapabilityupto1000A •AvailavleinStandardandReversePolarity | NTE NTE Electronics, Inc |  |   |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS | ADPOW Advanced Power Technology |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
SINGLEPOLE,SINGLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHES 文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages | MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc. |  | |
NTE6045产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTE6045
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
RECTIFIER 1000V 60A DO-5 ANODE CASE
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
G/P RECT
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
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NTE |
39541 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
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