位置:首页 > IC中文资料第4134页 > NTDV2955-1G
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTDV2955-1G | 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:MOSFET P-CH 60V 12A IPAK 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | ||
Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suff | ONSEMI 安森美半导体 | |||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
Complementary Power Transistors 文件:138.37 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Power MOSFET 文件:88.01 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK 文件:112.72 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |
NTDV2955-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTDV2955-1G
- 功能描述
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
*
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON/安森美 |
2447 |
TO252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
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ON/安森美 |
22+ |
IPAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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ON/安森美 |
21+ |
TO252 |
2500 |
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ON/安森美 |
22+ |
IPAK |
96025 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
5750 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
NTDV2955-1G规格书下载地址
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