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NTDV2955-1G

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:MOSFET P-CH 60V 12A IPAK 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ONSEMI

安森美半导体

Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suff

ONSEMI

安森美半导体

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Complementary Power Transistors

文件:138.37 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

文件:88.01 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK

文件:112.72 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTDV2955-1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTDV2955-1G

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    *

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-17 11:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
ON/安森美
2447
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100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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