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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD6600N-1 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 146mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
NTD6600N-1 | Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD6600N-1 | Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK 文件：69.79 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK 文件：69.79 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTD6600N-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD6600N-1
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
5450 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ON/安森美 |
05+ |
DPAK |
2200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
DPAK |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
DPAK |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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ON/安森美 |
2518+ |
DPAK |
9852 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
SIPX |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
ON |
22+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ONS |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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