型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTD65N03R

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 65A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NTD65N03R

Power MOSFET 25V 65A 8.4 mOhm Single N-Channel DPAK

ONSEMI

安森美半导体

NTD65N03R

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 65A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:995.71 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:960.38 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:995.71 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:960.32 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

文件:74.14 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.97 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:524.83 Kbytes Page:5 Pages

HMSEMI

华之美半导体

NTD65N03R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD65N03R

  • 功能描述

    MOSFET 25V 65A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-1 10:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2023+
DPAK
50000
原装现货
ON Semiconductor
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原厂渠道,现货配单
ON
24+
TO252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
onsemi(安森美)
24+
IPAK
7845
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ON
SOT252
1200
正品原装--自家现货-实单可谈
ON/安森美
22+
TO252
3000
原装正品,支持实单
ONS
08+
IPAK
20000
普通
VB
21+
DPAK
10000
原装现货假一罚十
ON
24+
SOT252
65300
一级代理/放心采购
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866

NTD65N03R数据表相关新闻