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65N03G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 65A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Super Trench Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NA/
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