位置：首页 > IC中文资料第2852页 > NTD50N03RG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD50N03RG | Power MOSFET 文件：79.51 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD50N03RG | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0178 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • 100 Rg and UIS tested | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
30V, 50A N-CHANNEL,FAST SWITCHING MOSFET DESCRIPTION FEATURE The AM50N03 is available in PDFN8(3.3x3.3) FEATURE Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt Effect Decline Advanced High Cell Density Trench Technology APPLICATION High frequency switching mode power supply | AITSEMI 创瑞科技 | | ||
50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：61.49 Kbytes Page：3 Pages | KIA 可易亚半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.96 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01805 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NTD50N03RG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD50N03RG
- 功能描述
MOSFET 25V 45A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
DPAK |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
ON SEMICONDUCTOR |
25+ |
996 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
ON |
22+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
DPAK-3 |
986966 |
国产 |
|||
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
||||
ONS |
25+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
O |
24+ |
DPAK-3 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
22+ |
DPAK-3 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
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