型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous

AOSMD

万国半导体

Dual N-Channel MOSFET

■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.09623 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

NTD4906NA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD4906NA

  • 功能描述

    MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
1975
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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