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NTD4806N-35G价格
参考价格：￥1.6954
型号：NTD4806N-35G 品牌：ON 备注：这里有NTD4806N-35G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTD4806N-35G批发/采购报价，NTD4806N-35G行情走势销售排行榜，NTD4806N-35G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD4806N-35G | Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVD4806N • These Devices are Pb−Free and are RoHS | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD4806N-35G | Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVD4806N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • CPU Power Delivery • DC | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD4806N-35G | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：995.69 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NTD4806N-35G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD4806N-35G
- 功能描述
MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
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ON |
24+ |
TO252 |
5000 |
只做原装公司现货 |
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ON/安森美 |
21+ |
TO-251-3 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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ON/安森美 |
2022+ |
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原厂代理 终端免费提供样品 |
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TO-251 |
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ON |
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TO-251 |
50000 |
只做原装正品 |
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ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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