| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V | TUOFENG 拓锋半导体 | |||
Graphite Brush 文件:1.63144 Mbytes Page:1 Pages | ASSUN | |||
Ultra Precision Bulk Metal Film Resistors 文件:132.97 Kbytes Page:2 Pages | WELWYN | |||
Ideal resistor for precision instrumentation 文件:410.61 Kbytes Page:3 Pages | TTELEC | |||
Metal Film Resistors Metal Film Resistors 文件:425.84 Kbytes Page:3 Pages | TTELEC |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
THRT |
07+ |
MODULE |
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TE/泰科 |
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