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NTD20N06V

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET

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CHONGQING

平伟实业

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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