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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTBG080N120SC1_V02 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 80 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typic | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-12-23 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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D2PAK-7L |
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